故障物理委員会

故障物理委員会は、半導体デバイスの故障物理を取り上げている委員会で30年以上も継続しています。時代毎に、その時代で注目されているテーマを取り上げ、内外文献を中心に調査研究を進めてきました。近年は省電力化で注目されている次世代パワー半導体の信頼性、及び先端CMOS LSIの故障物理と信頼性保証方法の問題を取り上げています。

R-2022-RS-01 2022年度故障物理研究委員会研究成果報告書「SiC
パワー半導体の故障物理と信頼性保証、及び先端LSI のNBTI 現象と故障モデルの変遷」　2022年3月発行

＜概要＞
最近注目されている半導体技術は、省電力の要請に伴う、変換効率の高いSi 以外のSiC やGaN材料のパワー半導体の開発です。故障物理委員会も、この次世代パワー半導体を取り上げ、その故障物理に注目し調査研究を進めています。また、先端CMOS LSIの故障物理と信頼性保証方法の問題も取り上げています。本資料は、実用化が先行しているSiC パワー半導体の最新の故障物理と最新CMOSのNBTI現象と劣化モデルについてまとめた資料です。SiCパワー半導体では、SiC MOSデバイスのSiC-SiO2界面特性、バイアス温度不安定性、TDDB、中性線によるシングルイベントバーンアウト（SEB）、パワーサイクルが問題となるパワーデバイスのパッケージング技術とその信頼性を採り上げました。LSIのNBTI（負バイアス温度不安定性）現象とモデルの変遷では、旧モデルのレビューと2つのモデルへの集約、最新の実験結果とモデルの融合性などについてまとめました。

入手方法と頒布価格

当センター発行資料は、一般の書店では取り扱っておりません。ご入用の向きは、直接下記へご注文下さい。
なお、消費税及び郵送の場合の送料（実費）を別途申し受けます。

〒111－0043　東京都台東区駒形2-5-6　カミナガビル3階
一般財団法人　日本電子部品信頼性センター　総務部
（TEL：03-5830-7601　FAX：03-5830-7602）

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これまでの成果資料を以下に示します。当時の最先端技術の半導体故障物理に関する内外文献をまとめた資料です 。この分野で活躍している皆様には、非常に参考になる資料です。以下に、発行資料一覧と、主要な資料の目次を示します 。目次は、分類コード番号をクリックすると表示されます。

半導体故障物理に関する発行資料

注）ハードコピー、CD版どちらでも購入可能です。但し、どちらでも価格は同じです。なお、（CD版）のみと表示している資料はCD版のみです。

2. 入手方法と頒布価格

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