2021 第31回RCJ信頼性シンポジウムの参加受付を開始いたしました

2021 第31回RCJ信頼性シンポジウムのご案内

RCJ信頼性シンポジウムは、ESD現象とESD対策、及び電子デバイス・電子部品信頼性に特化したシンポジウムです。今年は、以下の日程で開催します。 開催場所は、従来開催してきた大田区産業プラザが改修のため使えないので、日本教育会館に変更しています。また、開催時期も会場予約の都合で、従来より1ヶ月ほど早まっていますので、ご注意下さい。また、現在の新型コロナ禍の状況で、現地参加不可能の方には、シンポジウム会場を撮影した映像を同時配信(YouTubeライブ配信)しますので、是非ご参加頂きますようお願いします。

日時:2021年10月21日(木)~10月22日(金)

場所:日本教育会館(東京、神保町)

今年のRCJ信頼性シンポジウムのトピックス

1.招待講演

(1)昨年度のRCJ EOS/ESD/EMCシンポジウム優秀論文 今年の米国EOS/ESDシンポジウムにRCJ優秀論文として招待され発表した内容の紹介 (2)「ESDAの最近の活動状況(ESD技術ロードマップ2020年版を中心に)」 米国ESD協会(ESDA)は2020年にESD技術ロードマップを発表しました。その内容を中心とした紹介。その内容には、HBM、CDM耐性値の推移、ESD管理可能なHBM、CDM耐性値の推移、各種ESDモデル(HBM、MM、CDM、CBE、CDE)に関するESDプロセス管理方法と能力、ESD試験のトレンドなどが含まれています。 (3)「基板モジュールレベルの静電気対策”委員会の活動結果と2021年度の活動方針」 RCJ“基板モジュールレベルの静電気対策”委員会の活動報告。基板モジュール組立て工程、取り扱いにおける静電気障害の分析、システム組込み状態における静電気障害分析、基板モジュールの耐性向上設計対策等を公開文献調査及び委員会独自の調査を実施しました。これらの調査内容の紹介。

2.信頼性セミナー:「パワー半導体及びLSIの故障物理に基づく信頼性保証方法」

RCJ故障物理委員会で行っている調査活動成果を中心に報告するものです。最近話題のパワー半導体(主にSiC MOSFET)、自動車用半導体、最先端LSIなどの信頼性保証には、故障物理に基づく信頼性特性の理解が不可欠です。このような故障物理の理解に基づく信頼性保証方法の最新の話題について報告します。 その他、「デバイス&試験」、「静電気対策」、「イミュニティ」に関する一般講演も多数あります。

同時開催: 信頼性・ESD対策技術展会」も同会場で開催します。
詳細は、こちらから

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